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MOS管的工作原理

发布时间:2022-09-18 10:00:00
信息摘要:
MOS管由漏极、源极和栅极组成,还分为N沟和P沟两种MOS管。首先我们将漏极接到电源正极,源极接到电源负极。对mos管而言,在栅极无电压情况下,源极与漏极之间是两个背对背二极管,而不会有电流通过,

MOS管一般有耗尽型和增强型两种。这里我们以增强型MOS为例分析。

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MOS管由漏极、源极和栅极组成,还分为N沟和P沟两种MOS管。首先我们将漏极接到电源正极,源极接到电源负极。对mos管而言,在栅极无电压情况下,源极与漏极之间是两个背对背二极管,而不会有电流通过,此时的mos管处于截止状态。

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如上图所示,栅极加电压时,当电压小于阈值 VGS (th)时,栅极与基片 P之间会因为电场的作用,使 P型半导体的源极和漏极上的负电子受到吸引而涌向栅极,而因为氧化膜的阻隔,将电子聚集在两个N沟道之间的半导体中。

如果栅极电压越高,电子浓度就会越高。当VGS (th)超过一个阈值,N型半导体将在源极和漏极之间形成一个电子通道。这段时间内,由于漏极上加了正电压,会形成漏极至源极的电流, MOS管导通。

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还可以把两个N型半导体间的一条沟槽想象成一条河流,栅极电压的建立相当于在两者之间架起一座桥梁,其大小取决于栅压的大小。所以 MOS管才是控制电压的晶体管。把 MOS管想像为一个阀门,它的栅极就象一个控制水流是否能通过的开关。


            

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