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RS1M快恢复二极管的基本性能参数及要求

发布时间:2021.09.26
信息摘要:
RS1M快恢复二极管,主要是指与快速晶闸管、高频率晶闸管和GT0、IGCT、leGT等晶闸管派生器件相匹配的FWD器件。

RS1M快恢复二极管,主要是指与快速晶闸管、高频率晶闸管和GT0、IGCT、leGT等晶闸管派生器件相匹配的FWD器件。RS1M该型号快恢复二极管通常电流大,电压高,反向恢复时间一般在1微秒以上,多采用扩散型通过结构和电子辐射技术,电流从数十安培到数千安培,电压从数百伏到3000伏不等。反向恢复的特性通常很硬,大部分都是晶片结构,在国内FRD机器设备占有超过80%以上的市场份额,FRD总体来说与海外领先水准相差并不大。

RS1M二极管


然而,还有一种快恢复二极管,它与IGBT和功率MOSFET一同工作。那就是RS1M快恢复二极管,它不但性能快,还需要软特性,以避免高电压峰值、射频干扰和电磁干扰。一般国外生产IGBT、M0SFET的公司也生产了与之配套的快速恢复二极管,目前国内还没有商业IGBT和快速恢复二极管的量产。因为快恢复二极管比较IGBT来说,较为低端,但随着我国综合实力的提升,快恢复二极管也宣布正式立项,未来有着很好的发展趋势。

RS1M二极管


       IFM是正向的电流正向峰值,而-diF/dt是正向通志电流下降的速率,VRM为反向峰值电压,VFM是二极管正向通态压降,tb为复合时间,IRM反向峰值电流,DIR为反向恢复电流下降。

RS1M快恢复二极管的技术性能及标准是:

(1)恢复速率快,即反向恢复时间trr要小。

(2)正向压降小,即标准VF小,以降低通电情况下的功能损耗。

(3)反向漏电流Ir小,以减少关闭情况下功能损耗。

(4)反向峰值电流小,减少了二极管反向电流对控制电路中其它开关装置的影响;

(5)反向恢复的软S较大,减少电压瞬间感应过冲,避免震荡。

(6)快速恢复二极管还必须有很好的温度稳定性,以减少或避免由于器件温度升高而造成的性能退化现象。具有正的温度系数的正压功率二极管具有良好的温度稳定性。

RS1M二极管


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