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双向可控硅的十条原则

发布时间:2022-09-10 10:00:00
信息摘要:
为了导通闸流管(或双向可控硅),必须有门极电流≧IGT ,直至负载电流达到≧ IL 。这条件必须满足,并按可能遇到的最低温度考虑。

1. 为了导通闸流管(或双向可控硅),必须有门极电流≧IGT ,直至负载电流达到≧ IL 。这条件必须满足,并按可能遇到的最低温度考虑。

2. 要断开(切换)闸流管(或双向可控硅),负载电流必须《IH, 并维持足够长的时 间,使能回复至截止状态。在可能的最高运行温度下必须满足上述条件。

3. 设计双向可控硅触发电路时,只要有可能,就要避开3+象限(WT2-,+)。

4. 为减少杂波吸收,门极连线长度降至最低。返回线直接连至MT1(或阴极)。若 用硬线,用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1间加电阻1k倩蚋 8咂蹬月返缛莺兔偶浯拥缱琛A硪唤饩霭旆ǎ∮肏系列低灵敏度双向可控硅。

5. 若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起问题,在MT1和MT2间加入RC缓冲电路。 若高dICOM/dt可能引起问题,加入一几mH的电感和负载串联。 另一种解决办法,采用Hi-Com双向可控硅。

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6. 假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出,采用下 列措施之一: 负载上串联电感量为几霩的不饱和电感,以限制dIT/dt; 用MOV跨接于电源,并在电源侧增加滤波电路。

7. 选用好的门极触发电路,避开3+象限工况,可以最大限度提高双向可控硅的 dIT/dt承受能力。

8. 若双向可控硅的dIT/dt有可能被超出,负载上最好串联一个几霩的无铁芯电感 或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法:对电阻性负载采用零电压导通。

9. 器件固定到散热器时,避免让双向可控硅受到应力。固定,然后焊接引线。不要把 铆钉芯轴放在器件接口片一侧。

10. 为了长期可靠工作,应保证Rthj-a足够低,维持Tj不高于Tjmax ,其值相应于可能的 最高环境温度。

            

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